时间：2025/7/9 14:55:49
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FN15X471K250PNG是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为Onsemi的一部分）生产。该器件采用PQFN封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。
这款MOSFET专为高效率和高功率密度设计，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统性能。
型号：FN15X471K250PNG
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：93A
Qg（总栅极电荷）：28nC
Eoss（输出电容能量损失）：35nJ
Ciss（输入电容）：2040pF
Pd（最大功耗）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
FN15X471K250PNG具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下提供卓越的效率。
2. 快速的开关速度，有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的耐用性和可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的需求。
5. 优化的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
6. 小型化PQFN封装，节省PCB空间，适配紧凑型设计需求。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统，例如电池管理系统（BMS）、直流电机控制和负载切换。
4. 计算机和服务器中的负载点（POL）转换器。
5. 可再生能源系统，包括太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 各种高效能便携式设备的电源管理解决方案。
IPB020N06N3_G, FDP17N60C
