时间：2025/8/6 9:16:24
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VU082-16N07 是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用。这款器件通常被设计用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效能功率管理的场景。VU082-16N07具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：80A
最大漏-源电压：100V
最大栅-源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值）
栅极电荷：75nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
功率耗散：300W
VU082-16N07 MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其低导通电阻也有助于减少热量产生，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
此外，该器件具备较高的电流承载能力，额定漏极电流可达80A，适用于大功率负载的应用。VU082-16N07的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关电源设计。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度的设计。同时，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够适应严苛的工作环境，包括汽车电子和工业控制应用。
VU082-16N07还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在瞬态条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和安全性。
VU082-16N07 MOSFET广泛应用于各种功率电子系统中。其中，最典型的应用是开关电源（SMPS），包括AC-DC电源适配器、服务器电源和工业电源模块。由于其低导通电阻和高频特性，VU082-16N07能够显著提高电源转换效率，满足现代电子产品对高效节能的需求。
在DC-DC转换器中，VU082-16N07常用于同步整流和升压/降压拓扑结构中，适用于电动车、太阳能逆变器和储能系统等新能源领域。
此外，该器件还广泛应用于电机驱动和逆变器系统，如电动汽车的电机控制器、工业自动化设备和不间断电源（UPS）。在这些应用中，VU082-16N07的高电流承载能力和良好的热稳定性使其成为高性能功率开关的理想选择。
汽车电子领域也是VU082-16N07的重要应用方向，包括车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等。其宽工作温度范围和高可靠性满足了汽车电子对元器件的严格要求。
SiHF100N10T, IRFP4468PBF, IPW90R150P7S
