2N7002PS/ZLX 是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TSSOP-6封装,适用于需要低导通电阻、高速开关和紧凑封装的应用场景。该晶体管具有较高的可靠性,并广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑驱动电路和小型电机控制等场合。2N7002PS/ZLX在设计上优化了性能和热管理,适合用于表面贴装技术(SMT)的电路板组装。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):60V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):340mA
工作温度范围:-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(最大)
封装形式:TSSOP-6
2N7002PS/ZLX具有多项关键特性,使其在众多应用中表现优异。首先,其60V的漏极-源极电压使其能够承受较高电压的应用环境,同时±20V的栅极-源极电压提供了良好的抗过压能力,确保器件在复杂电路中的可靠性。其次,该MOSFET的最大连续漏极电流为340mA,使其适用于中低功率的开关和控制电路。
导通电阻方面,2N7002PS/ZLX的最大Rds(on)为3.5Ω,这一数值较低,有助于减少导通损耗,提高系统的整体能效。此外,TSSOP-6封装不仅节省空间,还具备良好的热管理和电气性能,适合高密度PCB布局。
这款MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,表现出良好的温度适应性,能够在极端环境下稳定运行。同时,它还具备快速开关能力,适用于高频切换应用,例如DC-DC转换器和PWM控制电路。
2N7002PS/ZLX的典型应用包括电源管理电路、小型电机驱动、LED照明控制、电池供电设备以及便携式电子产品中的负载开关。由于其封装小巧且性能稳定,该器件也常用于工业自动化控制、消费类电子产品和通信设备中的信号开关和逻辑控制。
具体应用示例包括:在便携式设备中用于电池电源的通断控制,以延长电池寿命;在LED照明系统中作为调光或开关控制元件;在智能电表和传感器网络中用于数据采集和信号处理电路的切换;以及在嵌入式系统中用于逻辑电平转换和缓冲器设计。
2N7002K, 2N7002E, BSS138