时间：2025/8/5 19:00:11
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IXTA3N120HV-TRL 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高电压 N 沟道 MOSFET。该器件专为高耐压和高效能应用而设计，适用于电源转换器、工业电机控制、电池管理系统以及其他需要高电压和高效率的功率电子系统。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装，适合通孔安装，便于散热和电路布局。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 3.5Ω
栅极电荷（Qg）：典型值 50nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：80W
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
短路耐受能力：有
雪崩能量等级：有
IXTA3N120HV-TRL 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压（Vds）达到 1200V，使其适用于高压应用环境。该器件的漏极电流为 3A，在高电压条件下仍能保持良好的导通性能。导通电阻（Rds(on)）为 3.5Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境下的稳定运行。TO-220 封装不仅提供良好的散热性能，还支持通孔安装方式，便于在各种 PCB 设计中使用。此外，IXTA3N120HV-TRL 具备短路耐受能力和雪崩能量保护特性，提高了器件在异常工况下的可靠性和安全性。
该 MOSFET 的栅极-源极电压范围为 ±20V，提供更宽的驱动范围，便于与各种驱动电路配合使用。80W 的功率耗散能力也使其在高负载条件下保持良好的热稳定性。
IXTA3N120HV-TRL 适用于多种高压和高效率功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、LED 照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高耐压能力和可靠的性能，该器件也广泛用于新能源汽车充电设备、储能系统和智能电网相关应用中。
IXTA3N120HVR，STW3N120HV，STW4N120HV
