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CM50AD05-12H 发布时间 时间:2025/12/28 4:21:07 查看 阅读:22

CM50AD05-12H是一款由Consonance(新进电子)生产的IGBT模块,广泛应用于高功率电力电子设备中。该模块集成了两个IGBT芯片和反并联快速恢复二极管,采用双管封装结构(半桥配置),适用于逆变器、电机驱动、感应加热和不间断电源(UPS)等需要高效开关性能的场合。该器件具有低导通压降、优良的开关特性和较高的可靠性,能够在高温和高电压环境下稳定运行。其绝缘底板设计支持直接安装于散热器上,提升了热传导效率,确保长时间工作的稳定性。CM50AD05-12H符合工业级标准,具备良好的抗干扰能力和热循环耐久性,适合在严苛工业环境中使用。
  该模块的额定电压为1200V,最大集电极电流可达50A,短时脉冲电流能力更强,能够应对瞬态负载变化。内部芯片采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench Field-Stop IGBT),有效降低了开关损耗和尾电流,提高了整体能效。同时,模块内置NTC温度传感器,便于系统进行实时温度监控与保护,防止过热损坏。封装形式为行业通用的EasyPIM或类似紧凑型模块结构,便于集成到现有驱动电路中。
  CM50AD05-12H的设计注重电磁兼容性和热管理优化,引脚布局合理,减少寄生电感,提升开关过程中的电压稳定性。其焊接工艺和材料选择均满足RoHS环保要求,并通过多项国际认证,适用于全球范围内的工业与能源应用领域。此外,该模块支持多模块并联使用,以扩展输出功率,适应更大容量系统的需求。

参数

型号:CM50AD05-12H
  制造商:Consonance(新进电子)
  器件类型:IGBT模块(半桥)
  最大集射极电压(Vces):1200V
  额定集电极电流(Ic)@25°C:50A
  峰值集电极电流(Icm):100A
  最大结温(Tj):150°C
  栅极阈值电压(Vge(th)):5.0V(典型值)
  饱和导通压降(Vce(sat))@Ic=50A, Vge=15V:2.15V(最大值)
  关断延迟时间(td(off)):约180ns
  下降时间(tr):约400ns
  输入电容(Cies):约4300pF
  隔离电压:2500VAC(1分钟)
  封装形式:PIM模块(带绝缘底板)
  是否集成NTC:是

特性

CM50AD05-12H具备优异的电气和热性能,其核心采用新一代沟槽栅+场截止(Trench FS)IGBT技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,尤其在高频工作条件下表现出更高的效率。该模块在125℃结温下仍能保持稳定的Vce(sat)参数,减少了高温运行时的功率损失,提升了系统整体能效。其反并联二极管具有快速软恢复特性,反向恢复时间短且无明显的电压振荡,有效抑制了EMI干扰,提升了系统的电磁兼容性。
  模块内部两个IGBT单元之间具有高度对称性,确保半桥电路在上下管切换过程中动态均压良好,避免因器件差异导致的电压失衡问题。同时,由于采用了优化的内部布线设计,模块的内部杂散电感非常低,通常小于50nH,在高速开关过程中可有效抑制电压尖峰,从而降低对缓冲电路的依赖,简化外围设计。
  CM50AD05-12H的陶瓷基板和DBC(Direct Bonded Copper)结构提供了出色的热导率和机械强度,使热量能够迅速从芯片传递至散热器,延长器件寿命。其绝缘底板可承受高达2500VAC的隔离电压,保障了主电路与控制电路之间的安全隔离,适用于各类中高压应用场景。
  此外,集成的NTC热敏电阻位于IGBT芯片附近,能够准确反映结温变化,配合外部控制电路实现精准的温度保护功能,如过温报警、降额运行或紧急关断,极大地增强了系统的安全性和可靠性。该模块还具备良好的抗湿热性能和长期老化稳定性,经过严格的高温高湿反偏(H3TRB)测试,确保在恶劣环境下的长期可靠运行。

应用

CM50AD05-12H广泛应用于多种工业电力电子系统中,特别适用于需要高效率、高可靠性的逆变电源和电机控制系统。常见应用包括通用变频器、伺服驱动器、电梯控制系统以及工业自动化设备中的主逆变单元。在新能源领域,该模块可用于光伏逆变器的DC-AC转换环节,凭借其低损耗特性提高能量转换效率。
  在感应加热设备中,CM50AD05-12H常用于构建谐振逆变电路,驱动高频电磁场产生,实现金属材料的快速加热处理。其快速开关能力和良好的热稳定性使其非常适合长时间连续运行的加热系统。
  此外,该模块也适用于UPS(不间断电源)系统中的逆变部分,将蓄电池的直流电高效转化为纯净正弦波交流电,确保关键负载的持续供电。在电焊机、电磁炉等大功率家电和工业设备中,CM50AD05-12H同样发挥着重要作用,提供稳定可靠的功率切换能力。
  由于其模块化设计和标准化封装,CM50AD05-12H易于替换和维护,支持并联扩容,因此也被广泛用于定制化电源系统和实验平台搭建中,作为核心功率器件使用。

替代型号

SEMIKRON SKM50GB12T4
  Infineon FF50R12KS4

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