时间：2025/6/12 5:33:21
阅读：9
GA1210H124MXAAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该芯片主要用于数据存储应用，具有高容量、高速度和低功耗的特点。它采用了先进的制造工艺，具备良好的可靠性和稳定性，适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等领域。
该型号具体支持多种接口协议，例如 Toggle 或 ONFI 标准，并且提供了灵活的配置选项以满足不同场景的需求。其封装形式通常为 BGA（球栅阵列），有助于实现更紧凑的设计。
容量：128GB
接口类型：Toggle 2.0 / ONFI 3.2
电压范围：1.8V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA
I/O 引脚数：24
擦写寿命：3K 次 (典型值)
数据保持时间：10 年 (典型值)
读取速度：最大 50 MB/s
写入速度：最大 25 MB/s
GA1210H124MXAAT31G 提供了卓越的数据存储性能，主要体现在以下几个方面：
1. 高密度存储：通过多层单元（MLC）技术实现了大容量存储，同时保持较低的成本。
2. 快速传输速率：兼容最新的 NAND 接口标准，确保高效的数据吞吐能力。
3. 耐用性与可靠性：经过严格测试，能够承受多次擦写操作并长时间保存数据。
4. 宽温设计：适合在极端环境下运行，满足工业级应用需求。
5. 小型化封装：采用 BGA 封装方式，有效节省 PCB 空间。
此芯片广泛应用于各种需要大容量存储的场合，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等。
2. 嵌入式系统：例如导航设备、智能家居控制器及物联网终端。
3. 工业自动化：用于记录关键数据或程序代码。
4. 监控录像设备：提供稳定的大容量存储解决方案。
5. 医疗仪器：保存患者信息或诊断结果。
GA1210H124MXAAU31G, GA1210H124MXABT31G
