您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > VJ0402A150GLAAJ32

VJ0402A150GLAAJ32 发布时间 时间:2025/5/24 20:06:06 查看 阅读:14

VJ0402A150GLAAJ32 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于 Vishay 公司的 GaN FET 系列。该器件采用先进的封装设计,具有高效率、高频性能和低导通电阻的特点,适用于多种开关电源和功率转换应用。其设计旨在减少能量损耗并提高系统的整体效率。
  VJ0402A150GLAAJ32 结合了增强型 GaN 晶体管与驱动器电路,提供卓越的动态性能和可靠性。此外,该型号支持高效能 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及无线充电等应用场景。

参数

型号:VJ0402A150GLAAJ32
  类别:功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  额定电压:650 V
  额定电流:8 A
  导通电阻:150 mΩ
  栅极电荷:40 nC
  工作温度范围:-55 ℃ 至 +175 ℃
  封装形式:TO-263-7
  最大开关频率:5 MHz

特性

VJ0402A150GLAAJ32 的主要特点是利用了氮化镓材料的独特性能,从而实现了比传统硅基 MOSFET 更高的效率和更快的开关速度。它具备以下优点:
  1. 极低的导通电阻(150 mΩ),有助于降低传导损耗。
  2. 高额定电压(650 V),使其能够承受更高的输入电压。
  3. 支持高达 5 MHz 的开关频率,适合高频应用。
  4. 出色的热稳定性,允许在高温环境下可靠运行。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统安全性。
  6. 小尺寸封装设计,便于 PCB 布局优化。

应用

VJ0402A150GLAAJ32 广泛应用于需要高效功率转换和快速响应的应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. AC-DC 适配器
  4. 无线充电模块
  5. 电机驱动控制器
  6. 太阳能逆变器
  7. 数据中心电源管理系统
  8. 电动汽车充电设备
  由于其高频特性和高效率,该芯片非常适合现代电子设备中对紧凑型和节能型设计的要求。

替代型号

VJ0402A100GLAAJ32, VJ0402A200GLAAJ32

VJ0402A150GLAAJ32推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

VJ0402A150GLAAJ32参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ Pb-Bearing
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性高温
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-