时间：2025/9/1 17:38:53
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H5GQ1H24MJR-N8C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动DRAM产品系列，主要用于高性能计算、智能手机、平板电脑以及其他需要大容量内存的嵌入式设备中。该型号为LPDDR4X SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代扩展型同步动态随机存储器），具有低功耗和高速数据传输的特性。
容量：8Gb（1GB）
类型：LPDDR4X SDRAM
数据速率：4266 Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
封装尺寸：134-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
H5GQ1H24MJR-N8C 提供了高达4266 Mbps的数据传输速率，显著提升了系统性能，适用于需要高速内存访问的应用场景。
该芯片采用了先进的低功耗技术，电压仅为1.1V，有效降低了功耗，延长了设备的电池续航时间。
它采用134-ball FBGA封装形式，适用于空间受限的便携式电子产品设计。
这款DRAM芯片支持高密度存储，8Gb的容量可以满足现代移动设备和高性能嵌入式系统对内存容量的需求。
此外，该芯片具有良好的热稳定性和电气稳定性，可在宽温范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，适用于各种复杂环境下的设备应用。
H5GQ1H24MJR-N8C 广泛应用于智能手机、平板电脑、高性能嵌入式系统、工业计算机、车载信息娱乐系统（IVI）以及需要高速内存支持的消费类电子产品中。
H5GQ1H24MFR-N8C, H5GQ1H24MJR-N8C, H5GQ1H24AJR-N8C
