类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V, ID=70A时为3.2mΩ
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

VTF328BX 具有以下关键特性：
　　1. 极低导通电阻（RDS(on)），确保在高电流负载下仍然保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。
　　2. 高额定电流能力（高达140A），适合高功率密度的应用场景。
　　3. PowerPAK SO-8 封装提供优越的热管理和较小的 PCB 占用空间，适应现代电子产品的小型化趋势。
　　4. 快速开关特性，减少动态损耗并提升响应速度，适用于高频操作环境。
　　5. 热稳定性强，在高温环境下仍能维持稳定运行，延长器件使用寿命。
　　6. 支持多种保护机制，如过温保护和短路保护，提升系统的可靠性和安全性。

VTF328BX 广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 同步整流器中的主开关元件，尤其在 DC-DC 转换器中优化能量转换效率。
　　2. 电池管理系统，例如在电动汽车或储能系统中用于控制充放电过程。
　　3. 电机驱动电路，作为高频率切换的功率开关以实现精确控制。
　　4. 负载开关与热插拔控制器，确保在高负载情况下稳定运行。
　　5. 服务器与台式机的电源管理模块，满足对高效节能方案的需求。
　　6. 通信设备中的稳压电源部分，保障长时间运行下的稳定性。

Si7461DP Si7461EDP IRF7461 IRF7461PBF STB140N3LLH6