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IRFR024TRPBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:35:00 查看 阅读:3

IRFR024TRPBF 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的应用场景。其采用TO-252 (DPAK) 封装形式,适用于表面贴装技术(SMT)。
  该器件的耐压值为60V,能够承受较高的电流负载,同时具备良好的热性能和可靠性,使其在多种工业和消费类电子产品中得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:17A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:11nC
  总功耗:36W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

IRFR024TRPBF 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,其快速开关性能使得它非常适合高频应用。器件的封装形式TO-252提供优秀的散热性能,并且支持自动化表面贴装生产。
  该器件还具有良好的抗雪崩能力,在短路或过载情况下能够提供额外的保护功能。同时,其栅极阈值电压范围设计合理,便于与各类驱动电路兼容。

应用

IRFR024TRPBF 常用于各种功率转换和控制领域,具体包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器或主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的功率开关,用于调节输出电压。
  3. 电机驱动应用中的功率级控制,例如步进电机、无刷直流电机等。
  4. 各种负载切换和保护电路,如电池管理系统中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块,如PLC、变频器等。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, AO3400A

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IRFR024TRPBF参数

  • 数据列表IRFR024, IRFU024
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR024PBFTR