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IXGP42N30C3 发布时间 时间:2025/8/6 6:26:06 查看 阅读:36

IXGP42N30C3是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET,设计用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。其主要特点是能够承受高电流和高温工作条件,适用于工业电源、电动机控制、太阳能逆变器以及汽车电子系统等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):42A
  最大漏源电压(VDS):300V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.055Ω
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4.0V
  最大栅极电压:±20V
  最大功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247AC

特性

IXGP42N30C3具有多项卓越的电气和热性能特性,能够满足高功率密度和高效率设计的需求。
  首先,该器件采用了先进的沟槽栅技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其典型RDS(on)值为0.055Ω,使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。
  其次,IXGP42N30C3具备高耐压能力,漏源电压(VDS)额定值为300V,能够在高压应用中提供可靠的性能。同时,该MOSFET能够承受高达42A的漏极电流,适用于需要高电流处理能力的电源转换系统。
  此外,该器件的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V,允许使用标准的栅极驱动器进行控制,兼容多种驱动电路设计。其最大栅极电压为±20V,具备良好的抗过压能力,提高了器件的可靠性和稳定性。
  在热管理方面,IXGP42N30C3采用了TO-247AC封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。其最大功耗为200W,支持在高功率密度设计中使用。
  最后,该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用,如工业控制、汽车电子和可再生能源系统。

应用

IXGP42N30C3广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括:工业电源转换器、直流电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统、功率因数校正(PFC)电路以及高频开关电源。其高耐压和大电流能力使其成为中高功率应用的理想选择。

替代型号

IXFP42N30C2, IRFP4227PBF, STP42NM50N, FDPF42N30

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IXGP42N30C3参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.85V @ 15V,42A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)42A
  • 功率 - 最大223W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件