时间：2025/8/6 6:26:06
阅读：39
IXGP42N30C3是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率电源转换和功率控制应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。其主要特点是能够承受高电流和高温工作条件，适用于工业电源、电动机控制、太阳能逆变器以及汽车电子系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：42A
最大漏源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.055Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V
最大栅极电压：±20V
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247AC
IXGP42N30C3具有多项卓越的电气和热性能特性，能够满足高功率密度和高效率设计的需求。
首先，该器件采用了先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其典型RDS(on)值为0.055Ω，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次，IXGP42N30C3具备高耐压能力，漏源电压（VDS）额定值为300V，能够在高压应用中提供可靠的性能。同时，该MOSFET能够承受高达42A的漏极电流，适用于需要高电流处理能力的电源转换系统。
此外，该器件的栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，允许使用标准的栅极驱动器进行控制，兼容多种驱动电路设计。其最大栅极电压为±20V，具备良好的抗过压能力，提高了器件的可靠性和稳定性。
在热管理方面，IXGP42N30C3采用了TO-247AC封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。其最大功耗为200W，支持在高功率密度设计中使用。
最后，该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和可再生能源系统。
IXGP42N30C3广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括：工业电源转换器、直流电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、功率因数校正（PFC）电路以及高频开关电源。其高耐压和大电流能力使其成为中高功率应用的理想选择。
IXFP42N30C2, IRFP4227PBF, STP42NM50N, FDPF42N30
