时间：2025/6/30 11:47:15
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FN31N221J500PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效率、高频开关电源以及电机驱动等应用领域。
该芯片由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产，封装形式为 TO-220FP，能够满足工业级和消费级电子设备的需求。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：31A
导通电阻（典型值）：47mΩ
总功耗：205W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
FN31N221J500PXG 的主要特点是其低导通电阻和高耐压能力。该器件能够在高电压环境下提供高效的电流传输，并且具有出色的热稳定性。
此外，其快速开关性能使得它非常适合高频开关应用，同时其坚固的设计可以承受较高的瞬态电压和电流冲击。
以下是更详细的特性：
- 高击穿电压（650V），适用于各种高压场景。
- 低导通电阻（47mΩ 典型值），减少传导损耗。
- 快速开关特性，适合高频应用。
- 内置静电保护功能，提高可靠性。
- 热稳定性强，支持长时间高温运行。
- 封装形式为 TO-220FP，便于安装和散热。
FN31N221J500PXG 广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的功率转换。
- 工业电机驱动和控制。
- 太阳能逆变器中的功率管理。
- 不间断电源（UPS）系统。
- 各种需要高效功率开关的应用场景。
由于其高电压和大电流处理能力，该器件特别适合需要高可靠性和高效能的场合。
IRF840,
STP36NF06,
FQP50N06L
