时间：2025/7/22 8:17:55
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VNB49N04是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和高功率处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB、D2PAK（表面贴装）
VNB49N04具备出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了更高的电流密度和更低的开关损耗。
VNB49N04的高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景，同时其封装设计有助于良好的散热性能。
此外，该MOSFET内置了防静电保护电路，提高了器件的可靠性和耐用性。
它还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。
由于其高集成度和优异的电气特性，VNB49N04广泛应用于电源管理和功率转换系统。
VNB49N04常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、工业自动化设备和汽车电子系统等。
在汽车应用中，它可以用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。
在工业领域，该器件适用于高功率LED照明、工业电机控制和不间断电源（UPS）系统。
此外，它还可以用于消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
IRF1405、SiHH100N40EF、FDP100N40F2A、IPW90R045C3
