VNB49N04是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流和高效率应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和高功率处理能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):5.8mΩ(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
功率耗散(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220AB、D2PAK(表面贴装)
VNB49N04具备出色的导通性能和热稳定性,其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术,提供了更高的电流密度和更低的开关损耗。
VNB49N04的高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景,同时其封装设计有助于良好的散热性能。
此外,该MOSFET内置了防静电保护电路,提高了器件的可靠性和耐用性。
它还具备良好的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。
由于其高集成度和优异的电气特性,VNB49N04广泛应用于电源管理和功率转换系统。
VNB49N04常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、工业自动化设备和汽车电子系统等。
在汽车应用中,它可以用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等。
在工业领域,该器件适用于高功率LED照明、工业电机控制和不间断电源(UPS)系统。
此外,它还可以用于消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
IRF1405、SiHH100N40EF、FDP100N40F2A、IPW90R045C3