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A43L0616BV-7 发布时间 时间:2025/8/28 21:00:52 查看 阅读:20

A43L0616BV-7 是一颗由Alliance Memory公司生产的低功耗、高性能的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片容量为1Mbit,组织方式为128K x 8位,采用标准的并行接口,适用于需要快速数据访问和低功耗设计的应用场景。A43L0616BV-7 采用CMOS工艺制造,具有宽电压范围,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种工业和通信设备。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:70ns(最大)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:52-TSOP
  接口类型:异步并行接口
  功耗:典型值10mA(待机模式下<10μA)

特性

A43L0616BV-7 SRAM芯片具有多项优异特性,首先其低功耗设计使其在活跃工作模式下仅消耗约10mA电流,而在待机模式下电流消耗可降至10μA以下,非常适合电池供电或低功耗系统应用。
  其次,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,提高了其在不同电源条件下的兼容性和稳定性,适应多种供电方案。
  该芯片的访问时间为70ns,具备较高的读写速度,能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景,如缓存、临时数据存储等。
  此外,A43L0616BV-7采用CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,同时其52-TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适用于高密度电路板设计。
  该芯片还具备工业级温度适应能力,可在-40°C至+85°C范围内稳定工作,适用于工业控制、网络设备、嵌入式系统等恶劣环境应用。

应用

A43L0616BV-7广泛应用于需要高速、低功耗、宽电压支持的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制设备中的缓存或临时数据存储模块、网络通信设备(如路由器、交换机)中的数据缓冲区、医疗设备和测试仪器中的实时数据处理单元、以及消费类电子产品中的嵌入式控制系统。
  由于其出色的稳定性和抗干扰能力,A43L0616BV-7也可用于汽车电子系统,如车载导航系统、信息娱乐系统等需要可靠存储解决方案的场景。
  此外,该芯片的TSOP封装形式使其适用于高密度PCB设计,广泛应用于便携式电子设备和手持终端设备中。

替代型号

IS61LV10248ALLB4A、CY62148EVS-S70B、IDT71V416SA70PF、A43L0616BVM-7、A43L0616BV-70

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