时间：2025/8/28 21:00:52
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A43L0616BV-7 是一颗由Alliance Memory公司生产的低功耗、高性能的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片容量为1Mbit，组织方式为128K x 8位，采用标准的并行接口，适用于需要快速数据访问和低功耗设计的应用场景。A43L0616BV-7 采用CMOS工艺制造，具有宽电压范围，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种工业和通信设备。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8位
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：70ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：52-TSOP
接口类型：异步并行接口
功耗：典型值10mA（待机模式下<10μA）
A43L0616BV-7 SRAM芯片具有多项优异特性，首先其低功耗设计使其在活跃工作模式下仅消耗约10mA电流，而在待机模式下电流消耗可降至10μA以下，非常适合电池供电或低功耗系统应用。
其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，提高了其在不同电源条件下的兼容性和稳定性，适应多种供电方案。
该芯片的访问时间为70ns，具备较高的读写速度，能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景，如缓存、临时数据存储等。
此外，A43L0616BV-7采用CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，同时其52-TSOP封装形式有助于节省PCB空间，适用于高密度电路板设计。
该芯片还具备工业级温度适应能力，可在-40°C至+85°C范围内稳定工作，适用于工业控制、网络设备、嵌入式系统等恶劣环境应用。
A43L0616BV-7广泛应用于需要高速、低功耗、宽电压支持的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制设备中的缓存或临时数据存储模块、网络通信设备（如路由器、交换机）中的数据缓冲区、医疗设备和测试仪器中的实时数据处理单元、以及消费类电子产品中的嵌入式控制系统。
由于其出色的稳定性和抗干扰能力，A43L0616BV-7也可用于汽车电子系统，如车载导航系统、信息娱乐系统等需要可靠存储解决方案的场景。
此外，该芯片的TSOP封装形式使其适用于高密度PCB设计，广泛应用于便携式电子设备和手持终端设备中。
IS61LV10248ALLB4A、CY62148EVS-S70B、IDT71V416SA70PF、A43L0616BVM-7、A43L0616BV-70
