时间：2025/9/7 10:48:06
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2SC4784YA-08TR是一款NPN型双极性晶体管（BJT），由东芝（Toshiba）生产。该晶体管专为高频率和高功率应用而设计，适用于射频（RF）放大、功率放大器以及高频开关等电路。该器件采用表面贴装封装（SOP），具有优良的高频性能和散热特性。其型号中的“YA”表示其特定的增益带宽产品（GBW）等级，而“08”代表其最大额定耗散功率为800毫瓦。该晶体管具有较高的电流增益（hFE）和良好的线性度，适合用于通信设备、射频模块和各类高频电子设备中。
类型：NPN型晶体管
材料：硅（Si）
最大集电极电流（Ic）：150 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Pd）：800 mW
过渡频率（fT）：100 MHz
电流增益（hFE）：110-800（取决于等级）
封装类型：SOP（表面贴装）
2SC4784YA-08TR晶体管具有多项优异的电气和机械特性。首先，它是一款高频晶体管，过渡频率（fT）高达100 MHz，使其在射频和高频放大电路中表现出色。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，能够满足不同应用场景对增益的需求，适用于高增益放大器的设计。此外，该晶体管的最大集电极电流为150 mA，能够在中等功率应用中稳定工作。
2SC4784YA-08TR采用SOP封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局和自动化生产。其最大集电极-发射极电压为30 V，使其在较高电压环境下也能可靠运行。此外，该晶体管的功耗为800 mW，在高频应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。
该晶体管还具有较低的噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）设计，特别是在无线通信和射频接收电路中。同时，其良好的线性度和开关特性使其可用于高频开关电路和脉冲放大器。综上所述，2SC4784YA-08TR在高频、中等功率和高增益应用中具有出色的性能表现。
2SC4784YA-08TR晶体管广泛应用于高频电子电路中，尤其适合射频放大器、低噪声放大器（LNA）、功率放大器和高频开关电路。在无线通信系统中，该晶体管可用于接收器和发射器中的信号放大和调制解调电路。此外，它还可用于音频放大器的前置级、振荡器电路以及各类高频电子设备中的信号处理模块。由于其优异的高频特性和良好的增益表现，该晶体管也常用于工业控制、测试设备和消费电子产品中的射频和模拟电路设计。
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