BFX84 时间：2025/9/3 12:50:32 阅读：28

BFX84是一款广泛应用于射频（RF）和高频电子电路中的NPN型双极结型晶体管（BJT）。这款晶体管由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造，设计用于低噪声放大器、射频功率放大器以及其他高频应用。BFX84具有良好的高频性能和较高的增益，适用于工作频率高达100MHz至几百MHz的电路。其封装形式通常为TO-92，适合通用电子设计。

参数

类型：NPN型BJT
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　噪声系数（NF）：低于3 dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

BFX84晶体管以其出色的高频性能和低噪声系数而著称，这使得它在射频和音频放大电路中非常受欢迎。这款晶体管具备较宽的集电极-发射极电压范围，能够在多种电源条件下稳定运行。此外，BFX84的过渡频率（fT）达到250MHz，表明它能够在较高的频率下提供显著的电流增益，非常适合用于射频信号放大。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围从110到800，具体取决于器件的分级（通常分为不同等级，例如hFE等级包括h、o、y等），这为设计者提供了灵活性，以选择适合特定电路需求的器件。BFX84还具有良好的温度稳定性，可以在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，使其适用于各种环境条件。
　　由于其低噪声特性，BFX84常用于前置放大器和其他需要高灵敏度的电路中。此外，该晶体管的封装形式为TO-92，这是一种常见的通孔封装，便于手工焊接和快速原型设计。