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VN0605T 发布时间 时间:2025/4/29 13:31:46 查看 阅读:4

VN0605T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220 封装形式。这款器件适用于各种开关和功率管理应用,具有低导通电阻和较高的电流处理能力。它在汽车电子、工业控制和电源转换等领域有着广泛的应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.8A
  导通电阻(典型值):0.14Ω
  栅极阈值电压:2V~4V
  工作结温范围:-55℃~175℃
  封装形式:TO-220

特性

VN0605T 具有以下显著特点:
  1. 高电流处理能力:连续漏极电流高达 5.8A,能够满足大功率应用需求。
  2. 低导通电阻:其典型的导通电阻为 0.14Ω,这有助于减少功耗并提高效率。
  3. 宽温度范围:能够在 -55℃ 到 175℃ 的结温范围内稳定工作,适合极端环境下的应用。
  4. 快速开关性能:具备较低的输入电容和输出电容,从而实现快速开关操作。
  5. 稳定性高:通过优化设计提高了长期使用的可靠性。

应用

VN0605T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   用于 DC-DC 转换器和逆变器中,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:
   在汽车和工业电机控制系统中作为功率级元件。
  3. 电池保护:
   在电池管理系统中用于过流和短路保护。
  4. 通信设备:
   提供稳定的功率输出以支持通信模块运行。
  5. 汽车电子:
   适用于汽车中的负载切换和其他功率管理功能。

替代型号

VN0604, VN0606, IRFZ44N

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VN0605T参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流0.18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)5000 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-236-3
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散360 mW
  • 工厂包装数量1000