时间：2025/9/15 2:51:12
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PHB47NQ10T是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电力电子应用。这款MOSFET封装在PowerFLAT 5x6封装中，适用于需要紧凑设计和高效能的场合。PHB47NQ10T具有低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：47A
最大漏极-源极电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：14.5mΩ（典型值）
栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PHB47NQ10T MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件的高电流能力使其适用于需要高功率密度的设计。
PHB47NQ10T采用了先进的平面技术，提供出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，便于在高密度PCB布局中使用。
这款MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，确保在极端条件下的可靠运行。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持与多种驱动电路兼容，简化了设计过程。
PHB47NQ10T在设计上优化了开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
PHB47NQ10T广泛应用于需要高效功率转换和管理的场合，如汽车电子、工业电源、服务器电源、笔记本电脑适配器以及电池管理系统。在汽车应用中，它可用于车载充电器、电动助力转向系统和DC-DC转换器。在工业领域，PHB47NQ10T适用于高效率的开关电源和电机控制电路。此外，它还适合用于储能系统、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
IRF1407, FDP47N10, FDBL47N10A
