型号：STK396-130E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：500V
　　栅源电压Vgs：±30V
　　连续漏极电流Id：12A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流Idm：48A
　　功耗Pd：150W（Tc=25℃）
　　导通电阻Rds(on)：0.13Ω（Max，Vgs=10V，Id=6A）
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V（Id=250μA）
　　输入电容Ciss：1100pF（Typ，Vds=25V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容Coss：380pF（Typ）
　　反向传输电容Crss：50pF（Typ）
　　栅极电荷Qg：45nC（Typ，Vds=400V，Id=12A）
　　上升时间tr：100ns（Typ）
　　下降时间tf：60ns（Typ）
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220AB

STK396-130E具备出色的电气特性和热稳定性，能够在高电压和大电流条件下稳定运行，适用于多种高效率电源转换应用。其最大漏源电压高达500V，能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）下的反激变换器中表现优异。器件的低导通电阻Rds(on)仅为0.13Ω（典型值），显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其在中等负载条件下节能效果明显。
　　该MOSFET采用优化的硅芯片设计，实现了较低的栅极电荷（Qg = 45nC）和输入电容（Ciss = 1100pF），有助于减少驱动损耗并提升开关速度，从而支持更高的工作频率，有利于减小磁性元件体积，提高功率密度。同时，其反向传输电容Crss较小，有助于降低噪声耦合，提升电路抗干扰能力，特别是在高频开关环境中可有效抑制寄生振荡现象。
　　STK396-130E还具备良好的热性能，其最大功耗可达150W（在壳温25℃条件下），配合适当的散热器可在高温环境下持续工作。器件的结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛工业环境下的长期运行需求。此外，它具有较高的雪崩耐量，能够承受一定程度的电压过冲和能量冲击，提升了系统的安全裕度和可靠性。
　　该器件还通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保在各种应用场景下均能保持一致的性能表现。其TO-220AB封装不仅机械强度高，而且便于安装散热片，适合需要强制风冷或自然对流散热的应用场合。整体而言，STK396-130E是一款综合性能优越、性价比高的功率MOSFET，适合追求高效率、高可靠性的电源设计工程师选用。

STK396-130E广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别适用于需要高效能和高稳定性的电力电子设备。其典型应用包括AC-DC开关电源适配器，如笔记本电脑、显示器、打印机等消费类电子产品的外置电源模块，在这些应用中，该器件通常作为主开关管用于反激式或正激式拓扑结构中，实现高效的能量转换与电压调节。
　　在工业电源领域，STK396-130E可用于通信电源、服务器电源、LED驱动电源以及小型UPS不间断电源系统中，承担主功率开关功能。由于其具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力，能够胜任宽输入电压范围下的长时间连续运行任务。
　　此外，该器件也常见于电机控制电路中，例如小型直流电机或步进电机的驱动模块，利用其快速开关特性实现精确的PWM调速控制。在逆变器系统中，如太阳能微逆变器或车载逆变器，STK396-130E可用于DC-AC转换阶段的开关单元，帮助提升转换效率并降低发热。
　　照明应用方面，该MOSFET可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，提供可靠的高频开关操作。同时，因其良好的热稳定性和抗冲击能力，也被用于电池充电器、电焊机、感应加热等高功率密度设备中。
　　总体来看，STK396-130E凭借其优异的电气参数和坚固的封装结构，已成为众多电源设计中的关键元器件之一，适用于从消费电子到工业控制等多个领域的多样化应用需求。

K2837, FJP5035, 2SC5386, BUZ900