时间：2025/8/5 18:03:17
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IXTA74N15T是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高功率开关和电源转换应用。该器件采用TO-220封装，具备高电流承载能力和低导通电阻，适用于各种电源管理电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：74A
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值约9.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTA74N15T具有低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高效率。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于高温环境下的高功率应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态高电压冲击，提高系统的可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制电路。
IXTA74N15T广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备和电源模块。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和电动工具等高功率便携设备。
IXFN74N15T, IXTK74N15T
