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CSD17522Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 21:12:46 查看 阅读:9

CSD17522Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 NexFET 系列功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,提供低导通电阻和高效率的性能,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和其他需要高效功率管理的应用场景。
  该器件具有出色的热性能和可靠性,能够在高频开关条件下保持高效的能量转换。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):34A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  栅极电荷(Qg):39nC
  开关速度:快速
  封装类型:DSO-N8

特性

CSD17522Q5A 提供极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  其快速开关能力使得它非常适合高频应用环境,同时能够显著降低电磁干扰(EMI)。
  该器件采用了优化的热设计,确保在高电流负载下依然能够保持良好的散热性能。
  此外,CSD17522Q5A 的坚固结构使其能够在严苛的工作条件下长期稳定运行,从而为终端设备提供更高的可靠性和更长的使用寿命。

应用

该 MOSFET 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动
  - 汽车电子系统
  - 工业自动化控制
  - 通信基础设施
  - 笔记本电脑和台式机电源适配器

替代型号

CSD17521Q5A
  CSD17523Q5A
  CSD17524Q5A

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CSD17522Q5A参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C87A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.1 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds695pF @ 15V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-29020-6