VM6101V008 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性。VM6101V008 主要用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)等功率电子设备中。其封装形式为 TO-252(DPAK),便于在 PCB 上安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):8mΩ(最大值,Vgs=10V)
功耗(Pd):250W
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装:TO-252(DPAK)
VM6101V008 MOSFET 具备多项优异特性,使其在功率电子设计中表现出色。首先,其导通电阻仅为 8mΩ,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,该器件可以支持高达 110A 的连续漏极电流,适用于大功率负载的控制。此外,VM6101V008 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备良好的开关性能,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。
在热管理方面,TO-252 封装设计有助于提高散热效率,确保器件在高负载下仍能保持稳定的性能。该器件的工作温度范围宽达 -55℃ 至 +175℃,可在严苛的工业和汽车环境中可靠运行。此外,VM6101V008 的栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容常见的栅极驱动电路,并具备较强的抗干扰能力,确保开关过程的稳定性和安全性。
该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下维持一定的工作稳定性,避免因过载或短路导致的器件损坏。综合来看,VM6101V008 是一款适用于多种功率电子应用的高性能器件,能够为设计工程师提供高效、可靠的解决方案。
VM6101V008 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路的理想选择。在电源管理系统中,该器件可用于电池供电设备的电源切换和保护电路。此外,VM6101V008 还广泛应用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源以及新能源汽车中的电池管理系统(BMS)。由于其优异的热稳定性和高可靠性,该器件也适合用于高温环境下的电力电子装置。
SiS6106N、IRF1405、FDMS86101、IPB085N06N3G4