S22MD4 时间：2025/8/28 2:50:53 阅读：27

S22MD4 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率 MOSFET 器件，主要用于高频率开关应用，例如在电源管理、DC-DC 转换器和负载开关中。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合用于需要高能效和紧凑设计的电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：22A
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：约 25mΩ（典型值）
　　功耗 (Ptot)：54W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

S22MD4 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频工作条件下提供出色的性能。
　　该器件还具备较高的热稳定性和较低的热阻，使其在高负载条件下也能保持稳定的运行。S22MD4 还具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过压和过流条件，从而提高系统的可靠性。
　　其 PowerFLAT 封装不仅提供了较小的占板面积，还有助于改善散热性能，适用于空间受限的设计。此外，该 MOSFET 的快速开关特性使其适用于高频开关电源应用，如同步整流、负载开关和电机控制等场景。