S22MD4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率 MOSFET 器件,主要用于高频率开关应用,例如在电源管理、DC-DC 转换器和负载开关中。这款 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特性,适合用于需要高能效和紧凑设计的电源系统。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):22A
漏源电压 (Vds):30V
栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):约 25mΩ(典型值)
功耗 (Ptot):54W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
S22MD4 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外,它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够在高频工作条件下提供出色的性能。
该器件还具备较高的热稳定性和较低的热阻,使其在高负载条件下也能保持稳定的运行。S22MD4 还具有良好的抗雪崩能力,能够承受一定的过压和过流条件,从而提高系统的可靠性。
其 PowerFLAT 封装不仅提供了较小的占板面积,还有助于改善散热性能,适用于空间受限的设计。此外,该 MOSFET 的快速开关特性使其适用于高频开关电源应用,如同步整流、负载开关和电机控制等场景。
S22MD4 主要应用于各类高效能电源系统中,例如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。此外,它也适用于需要高频率操作和高效能的小型电源模块设计。
IPD22N3L03, STD22NM50N, FDS6675