类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：25V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN5x6

G2562QG1U-K采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现优异，能够有效降低功率损耗并减少发热。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统长时间运行的可靠性。
　　该MOSFET的DFN5x6封装设计提供了优异的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。其封装体积小巧，适用于对空间要求严格的PCB布局。此外，G2562QG1U-K的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力和过载保护特性，使其在电源管理和负载开关应用中表现出色。其高耐用性和稳定性使其适用于工业控制、通信设备、消费电子产品以及汽车电子等广泛领域。同时，G2562QG1U-K符合RoHS环保标准，符合现代电子产品的环保要求。

G2562QG1U-K适用于多种高效率功率转换和控制应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及服务器和通信设备的电源模块。此外，该器件也可用于高功率LED驱动、UPS系统、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率管理电路。其优异的导通性能和高可靠性使其成为现代高效能电源设计的理想选择。

SiR142DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, AO4468, FDS6680, IPP095N15N3G