VJ1812A910JBGAT4X 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 Vishay 公司的 VJ 系列。该芯片主要设计用于高频率开关应用,如 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机驱动等场景。其采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提升了效率并降低了能耗。
这款器件支持表面贴装封装,具有良好的散热性能,能够适应苛刻的工作环境。
型号:VJ1812A910JBGAT4X
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):9.1A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg):27nC
开关时间:开启时间 9ns,关闭时间 13ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263-3 (DPAK)
VJ1812A910JBGAT4X 的关键特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用,降低开关损耗。
3. 高额定电流和低栅极电荷,保证了在大电流条件下仍能保持高效运行。
4. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适用于工业级和汽车级应用场景。
5. 表面贴装封装设计,简化了 PCB 设计和生产流程,同时提高了热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料,满足现代电子产品的环保要求。
该元器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器,特别是在需要高效率和高频操作的应用中。
3. 电机驱动和控制,例如步进电机和直流无刷电机的驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
6. 通信电源和其他需要高性能功率开关的场合。
VJ1812A905JBGAT4X, VJ1812A912JBGAT4X, IRF7833PbF