时间：2025/8/6 8:15:10
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IXTA160N10T7 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电流和高效率的电源应用。这款 MOSFET 的设计旨在提供低导通电阻、高耐压和良好的热性能，使其适用于各种高功率电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：160A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
封装类型：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IXTA160N10T7 MOSFET 提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力（100V）确保了在高压应用中的稳定性。
该器件采用 TO-263 封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下运行。此外，IXTA160N10T7 的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路的兼容性。
由于其高可靠性和耐用性，IXTA160N10T7 可用于各种需要高电流和高效率的电路设计中。其设计优化了开关性能，从而减少了开关损耗，并提高了系统的整体效率。
IXTA160N10T7 广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器、电源管理系统和高功率开关电源。由于其优异的性能和可靠性，它也非常适合用于工业控制和汽车电子系统中的高功率需求场合。
IXTA160N10T7S, IXTA160N10T, IXTA160N10P
