时间：2025/6/16 20:48:16
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SLM120N03T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式通常为TO-220或TO-252，具体取决于制造商的工艺标准。
这款MOSFET适合用作功率开关，广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及各种电源管理模块中。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极电荷：49nC
开关时间：开通延迟时间39ns，关断下降时间17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SLM120N03T具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提升效率。
2. 高雪崩能力设计，增强了在过载条件下的可靠性。
3. 快速开关性能，减少了开关损耗，在高频应用中表现优异。
4. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，采用环保材料制造。
该芯片适用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机控制与驱动。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 电信设备中的高效功率转换模块。
6. LED驱动器及逆变器应用。
IRFZ44N
STP120N03L
FDP16N03L
