时间：2025/8/10 14:58:32
阅读：26
VIKM86M03T 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，使其在电源管理和功率转换电路中表现出色。
类型: N 沟道
漏极电流（ID）: 60A
漏源电压（VDS）: 30V
栅源电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on))): 3.2mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）: 160W
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: TO-263（D2Pak）
VIKM86M03T 具有低导通电阻特性，可显著减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（30V VDS）使其适用于中高功率应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关电路。此外，该 MOSFET 采用先进的硅技术，提供快速开关性能，降低了开关损耗。
VIKM86M03T 的封装形式为 TO-263（D2Pak），具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。该封装还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 20V），可兼容多种驱动电路设计。
在可靠性方面，VIKM86M03T 具备较高的雪崩能量承受能力，能够应对瞬态过压情况，从而提高系统的稳定性。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合工业和汽车电子等严苛环境应用。
VIKM86M03T 常用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统中。其高效率和高可靠性的特点使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
IRF3710, FDP6675, SiS4410
