类型：功率MOSFET模块
　　配置：单管N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.18Ω（具体数值可能因生产批次而异）
　　最大功耗(Ptot)：根据散热条件不同，通常可支持高功率耗散
　　封装形式：绝缘型双列直插式封装（如SiC或类似封装）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　栅极驱动电压：建议为15V至20V以实现最佳导通性能
　　短路耐受能力：具备一定的短路保护能力
　　热阻：根据散热器配置不同，结至壳热阻（Rth(j-c)）约为0.3°C/W左右

URF1D12QB-50WH具有多项优异的电气和热性能。首先，其1200V的漏源耐压能力使其适用于高电压应用，如光伏逆变器、UPS系统和工业电源。其次，该模块的导通电阻非常低，有助于减少导通损耗并提高系统效率。50A的额定电流使其能够处理大功率负载，适用于高功率密度的设计。此外，该模块采用了高频优化设计，支持快速开关操作，从而降低了开关损耗，提高了系统响应速度。
　　该模块的封装设计也颇具优势，采用了绝缘封装技术，确保在高电压应用中具有良好的安全性和可靠性。此外，模块的封装结构具有良好的热传导性能，便于安装散热器，确保长时间运行的稳定性。
　　URF1D12QB-50WH还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。其内部结构设计减少了寄生电感，提高了抗dv/dt能力，从而降低了误触发的风险。此外，该模块对栅极驱动电压的适应性较强，能够在较宽的电压范围内实现稳定的导通状态。

URF1D12QB-50WH广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源转换领域，该模块可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正（PFC）电路，适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源系统。在电机控制方面，URF1D12QB-50WH可用于变频器、伺服驱动器和电动汽车电驱系统，其高频开关特性和低导通损耗有助于提高控制精度和系统效率。
　　该模块也常用于新能源系统，如太阳能逆变器、风能变流器和储能系统，其高耐压能力和大电流处理能力使其成为这些应用的理想选择。此外，URF1D12QB-50WH还可用于UPS（不间断电源）、电焊机、感应加热设备和智能电网设备等工业自动化和电力电子系统中，确保高可靠性和高效能运行。

SKM50GB12T4、FF50R12KT4_B11、STY50N120K5