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M58LR256KB70ZC5F TR 发布时间 时间:2025/12/27 4:22:47 查看 阅读:46

M58LR256KB70ZC5F TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,广泛应用于需要高密度非易失性存储的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅存储技术,具备出色的可靠性和数据保持能力,适用于工业控制、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子等多种应用场景。M58LR256KB70ZC5F TR的封装形式为小型化的TFBGA(Thin Fine-Pitch Ball Grid Array),适合对空间要求严格的便携式设备设计。该芯片支持标准SPI(Serial Peripheral Interface)和四线I/O(QPI)模式,能够在高速数据传输与低引脚数之间实现良好平衡,提升系统集成度。此外,该器件工作电压范围宽,典型值为2.7V至3.6V,确保在不同电源条件下稳定运行。其额定工作温度范围通常为-40°C至+85°C,满足工业级环境下的严苛要求。作为TR(Tape and Reel,卷带包装)版本,该型号专为自动化贴片生产线设计,便于大规模SMT(表面贴装技术)装配,提高生产效率。M58LR256KB70ZC5F TR还集成了多种保护机制,如软件写保护、顶部/底部扇区锁定功能,防止意外擦除或写入操作,保障关键代码和数据的安全性。

参数

型号:M58LR256KB70ZC5F TR
  制造商:STMicroelectronics
  存储容量:256 Mbit(32 MB)
  组织结构:按页和扇区划分,典型页大小为256字节
  接口类型:SPI, QPI(四线串行外设接口)
  时钟频率:最高支持70 MHz
  工作电压:2.7 V 至 3.6 V
  工作温度范围:-40 °C 至 +85 °C
  封装类型:TFBGA,具体为8-ball或16-ball(依据具体数据手册)
  编程/擦除耐久性:典型值为100,000次
  数据保持时间:典型值为20年
  访问时间:70 ns(读取延迟)
  供电电流:读取模式下典型值为8 mA,待机模式下低于1 μA
  写保护功能:支持软件和硬件写保护,包括WP#引脚控制
  安全特性:具备识别寄存器、唯一ID(若支持)、扇区锁定机制

特性

M58LR256KB70ZC5F TR具备多项先进特性,使其在同类串行NOR闪存产品中具有显著优势。首先,其支持双模式通信接口——标准SPI和高速QPI(Quad Peripheral Interface),允许用户在引脚资源受限的设计中通过四线模式实现高达4倍的数据吞吐率,显著提升系统性能。该器件内部存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区和块,支持按页编程(Page Program)和按扇区/块擦除(Sector/Block Erase),提供灵活的数据管理能力,特别适用于固件更新、日志记录等需要频繁修改小块数据的应用场景。
  其次,该芯片内置完善的保护机制,防止因误操作或电源波动导致的数据损坏。它支持多种级别的软件写保护策略,可通过状态寄存器配置顶部或底部扇区的只读属性;同时配备硬件写保护引脚(WP#),当拉低时可锁定整个存储区域,增强系统可靠性。此外,器件支持上电复位(Power-on Reset)检测电路,确保在电源未稳定前不执行任何命令,避免异常写入。
  再者,M58LR256KB70ZC5F TR采用低功耗设计,在主动读取模式下仅消耗几毫安电流,而在待机或深度掉电模式下电流可降至微安甚至纳安级别,非常适合电池供电或绿色节能设备。其制造工艺基于成熟的CMOS和浮栅技术,保证了优异的数据保持能力和擦写耐久性,典型值分别达到20年和10万次以上,远超一般工业标准。
  最后,该器件符合RoHS环保规范,并通过AEC-Q100等可靠性认证(视具体批次而定),可用于汽车电子等高安全性要求领域。其紧凑型TFBGA封装不仅节省PCB空间,还优化了信号完整性与热性能,有助于提升整体系统稳定性。

应用

M58LR256KB70ZC5F TR广泛应用于多种需要可靠、高速非易失性存储的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、HMI人机界面设备和工业网关中存储操作系统、配置参数及运行日志;在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中,用于存放启动代码(Bootloader)、固件映像和设备校准数据,确保快速启动和稳定运行。
  在消费类电子产品方面,该芯片常见于智能电视、机顶盒、打印机和家用IoT设备中,承担图形资源、语言包和用户设置的存储任务。由于其支持快速随机读取和XIP(eXecute In Place)功能,处理器可直接从闪存中执行代码,无需加载到RAM,从而降低系统成本并加快响应速度。
  在汽车电子系统中,M58LR256KB70ZC5F TR可用于仪表盘显示模块、ADAS辅助驾驶单元、车载信息娱乐系统(IVI)和远程信息处理终端(Telematics Box),存储地图数据、传感器校准信息和诊断程序。其宽温特性和高可靠性满足车载环境的严苛要求。
  此外,在医疗设备、测试仪器和无人机等高端嵌入式设备中,该器件也发挥着重要作用,提供安全、持久的数据存储解决方案。得益于其小尺寸封装和低功耗特性,尤其适合便携式和可穿戴设备使用。

替代型号

M25P256
  S25FL256S
  W25Q256JV

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M58LR256KB70ZC5F TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率66 MHz
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 2V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳79-VFBGA
  • 供应商器件封装79-VFBGA(9x11)