K2223-01R 时间：2025/8/8 19:12:33 阅读：12

K2223-01R 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率放大等应用。这款晶体管具备高耐压、低导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动等电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：17A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K2223-01R 具备优异的导通性能和快速开关能力，适用于高效率电源转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件支持高漏极电流（高达 17A），使其适用于高功率负载的控制。此外，该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 150°C）。其高栅极电压容限（±20V）也增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
　　K2223-01R 还具备较强的抗冲击和抗干扰能力，适合用于需要稳定运行的电源系统。由于其低阈值电压特性，可以与标准逻辑电平（如 5V 或 10V 驱动电路）配合使用，便于直接由微控制器或驱动 IC 控制。此外，MOSFET 的高开关速度使其在高频应用中表现出色，例如在 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路中。这些特性使得 K2223-01R 成为一种性能稳定、适用广泛的标准功率 MOSFET 器件。

应用

K2223-01R 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化控制电路。由于其高效率和低导通电阻的特性，它也常用于大功率 LED 驱动、电源管理模块以及各种需要高电流开关的场合。此外，该 MOSFET 还适合用于逆变器、充电器和电源适配器等产品设计中。