时间：2025/5/24 15:12:18
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VI-JW1-IW是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件采用了N沟道增强型MOSFET技术，其优化设计使得动态和静态特性均表现优异。此外，VI-JW1-IW还具备强大的雪崩能力和抗静电能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能量吸收能力，增强器件的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和安装。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. UPS不间断电源系统中的逆变电路。
5. 充电器、LED驱动器等电力电子设备的核心组件。
IRF640N
FDP17N65
STP12NM65
