VI-JW1-IW是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件采用了N沟道增强型MOSFET技术,其优化设计使得动态和静态特性均表现优异。此外,VI-JW1-IW还具备强大的雪崩能力和抗静电能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
反向恢复时间:90ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能量吸收能力,增强器件的可靠性。
5. 小型化封装设计,便于PCB布局和安装。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. UPS不间断电源系统中的逆变电路。
5. 充电器、LED驱动器等电力电子设备的核心组件。
IRF640N
FDP17N65
STP12NM65