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VI-JW1-IW 发布时间 时间:2025/5/24 15:12:18 查看 阅读:16

VI-JW1-IW是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该器件采用了N沟道增强型MOSFET技术,其优化设计使得动态和静态特性均表现优异。此外,VI-JW1-IW还具备强大的雪崩能力和抗静电能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1200pF
  反向恢复时间:90ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 强大的雪崩能量吸收能力,增强器件的可靠性。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局和安装。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. UPS不间断电源系统中的逆变电路。
  5. 充电器、LED驱动器等电力电子设备的核心组件。

替代型号

IRF640N
  FDP17N65
  STP12NM65

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VI-JW1-IW参数

  • 标准包装1
  • 类别电源 - 板载
  • 家庭DC DC Converters
  • 系列*
  • 类型隔离
  • 输出数1
  • 电压 - 输入(最小)18V
  • 电压 - 输入(最大)36V
  • Voltage - Output 112V
  • Voltage - Output 2-
  • Voltage - Output 3-
  • 电流 - 输出(最大)*
  • 电源(瓦) - 制造商系列100W
  • 电压 - 隔离*
  • 特点*
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳9 针法兰半砖电源模块
  • 尺寸/尺寸2.28" L x 2.40" W x 0.50" H(57.9mm x 61.0mm x 12.7mm)
  • 包装散装
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 效率*
  • 电源(瓦特)- 最大*