时间：2025/9/13 20:54:56
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SZMM3Z13VT1GX 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的表面贴装型齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用小型SOD-523封装，具有低功耗、快速响应和高稳定性的特点，适用于便携式电子产品、电源管理模块以及各种需要精密电压参考的场合。
类型：齐纳二极管
封装形式：SOD-523
最大齐纳电压：13.0V
最小齐纳电压：12.4V
测试电流：5.0mA
最大功耗：200mW
最大反向漏电流：100nA（@ 10V）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
SZMM3Z13VT1GX 的齐纳击穿电压在12.4V至13.0V之间，适用于中低电压调节应用。其采用SOD-523封装，体积小巧，非常适合在空间受限的设计中使用。该器件的功耗较低，典型测试电流为5mA，能够在保持稳定电压输出的同时减少能耗。此外，SZMM3Z13VT1GX 具有良好的温度稳定性和长期可靠性，确保在不同环境条件下仍能维持一致的电气性能。该齐纳二极管还具备快速响应能力，可在电压突变时迅速调整，保护后续电路不受损害。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。
该器件在制造过程中采用了先进的半导体工艺，保证了其在各种工作条件下的稳定性和一致性。SZMM3Z13VT1GX 还具备优异的反向漏电流控制能力，在未达到击穿电压时保持极低的漏电流，确保电路在正常工作状态下的稳定性。同时，其热阻较低，有助于提高在高负载条件下的热稳定性。
SZMM3Z13VT1GX 常用于便携式设备中的电压参考和调节，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。在电源管理系统中，它可以作为电压基准，为ADC、DAC或比较器提供稳定参考电压。该器件也广泛应用于传感器接口电路中，以确保传感器供电电压的稳定性。此外，SZMM3Z13VT1GX 还可用于过压保护电路，防止敏感电子元件因电压波动而损坏。在工业控制系统、通信设备以及消费类电子产品中均有广泛应用。
MM3Z13V, BZV55-B13, MMSZ5248B
