时间：2025/9/2 23:57:35
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3N180是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、功率放大器和电动机控制等应用中。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。作为一款早期的功率MOSFET，3N180在工业控制和消费电子设备中曾经被广泛使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：4A
最大功耗（PD）：40W
导通电阻（RDS(on)）：约0.55Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
3N180 MOSFET具有以下主要特性：首先，它具备较高的耐压能力和电流承载能力，适用于中等功率的开关应用。其次，其导通电阻较低，能够在导通状态下保持较小的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下工作，适用于一些对可靠性要求较高的应用场景。
由于采用TO-220封装，3N180具备良好的散热性能，便于安装在散热片上，以增强其热管理能力。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的逻辑电平驱动电路，使其易于与控制电路配合使用。此外，MOSFET的电压驱动特性使其具有较高的输入阻抗，减少了驱动电路的负载。
3N180常用于多种功率控制和开关应用中，包括但不限于以下方面：开关电源（SMPS）中的功率开关元件、直流电动机驱动电路、电子负载控制系统、逆变器和UPS系统、LED照明调光电路以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也可用于音频放大器和低频功率放大电路中。
IRF540N, FQP4N60, 2N6756
