时间：2025/12/23 23:12:56
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VHF201209H6N2ST是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于射频放大器和功率转换领域。该型号采用先进的封装技术以优化散热性能，并提供出色的高频和高功率处理能力。其设计特别适合需要高效率和宽带宽的应用场景。
型号：VHF201209H6N2ST
类型：GaN HEMT功率晶体管
工作频率范围：30 MHz - 1 GHz
输出功率：50 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
最大漏极电流：5 A
插入损耗：小于2 dB
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
封装形式：表面贴装
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
VHF201209H6N2ST具有卓越的射频性能，能够在高频段实现高效率的功率输出。
该器件采用了氮化镓材料，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，从而显著提高了功率密度。
其高效的热管理设计允许在高温环境下保持稳定的运行状态。
此外，该晶体管支持线性放大器应用，并且能够轻松集成到复杂的通信系统中。
VHF201209H6N2ST还具备良好的可靠性和耐用性，经过严格的质量测试以确保长期使用中的稳定性。
这款功率晶体管主要应用于无线通信基础设施，例如基站射频放大器、雷达系统以及卫星通信设备。
同时，它也适用于工业、科学和医疗领域的高功率射频发生器。
在航空航天和国防行业中，该器件可用于高性能的电子战系统和导航设备。
另外，由于其高效率和紧凑型设计，VHF201209H6N2ST也是便携式无线设备的理想选择。
VHF201209H6N3ST
VHF201209H6N1ST
