RF1643ATR13 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于无线通信系统中的射频功率放大应用。该器件基于先进的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,具有出色的射频性能和高可靠性。RF1643ATR13 工作频率范围广泛,适用于蜂窝基站、无线基础设施、工业和商业通信设备等多种应用场景。该晶体管采用紧凑的表面贴装封装,便于集成在现代通信设备中。
工作频率范围:800 MHz - 1000 MHz
输出功率:典型值为 12 W(在 900 MHz)
增益:典型值为 14 dB
效率:典型值为 60%
工作电压:28 V
封装类型:表面贴装(SMT)
热阻(Rth):典型值为 0.8°C/W
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF1643ATR13 的核心特性之一是其采用 GaN(氮化镓)HEMT 技术制造,这使得器件在高频下具有卓越的功率处理能力和高效率。该器件的封装设计优化了热管理,确保在高功率运行时保持稳定的性能。
另一个显著特性是其宽频率覆盖范围,使得 RF1643ATR13 能够灵活应用于多个通信频段,包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等标准。这种多标准兼容性提高了其在不同通信基础设施中的适用性。
此外,RF1643ATR13 在设计上注重线性度和稳定性,能够提供高质量的信号放大,减少失真,适合用于需要高保真度信号放大的系统中。其高可靠性和长寿命也使其成为工业级和商业级应用的理想选择。
由于其高效率和低功耗特性,RF1643ATR13 可以有效降低系统散热需求,提高整体系统能效,并减少外围电路的复杂度。
RF1643ATR13 主要用于蜂窝基站、微波通信设备、无线本地环路(WLL)系统、工业控制系统和测试测量设备中的射频功率放大器部分。由于其高输出功率和良好的线性度,它特别适合用作基站的最终功率放大级。
在无线基础设施中,该晶体管可以用于多载波功率放大器(MCPA)和分布式天线系统(DAS),以满足现代通信系统对高带宽和高功率密度的需求。同时,其适用于数字预失真(DPD)系统,以进一步提高线性度并满足严格的电磁兼容性要求。
在工业领域,RF1643ATR13 可用于射频能量应用,如工业加热和等离子体生成系统,其高效率和高可靠性使其在恶劣环境中也能稳定运行。
Cree CGH40010F, NXP MRFE6VP61K25H, Infineon BFP640ESD, Mitsubishi RA01H1240M