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1N1184 发布时间 时间:2025/12/26 20:01:47 查看 阅读:28

1N1184是一款早期的硅整流二极管,广泛应用于20世纪60年代至80年代的电源整流电路中。该器件属于通用整流二极管系列,主要用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),适用于低频电源整流场合。1N1184采用金属封装(通常为DO-4或类似封装),具有良好的热稳定性和机械强度,适合在工业控制、电源设备和老式电子设备中使用。随着半导体技术的发展,该型号已逐渐被更先进、性能更优的整流二极管所取代,但在维修老旧设备或特定应用场景中仍有一定需求。1N1184的命名遵循美国电子工业协会(EIA)的“1N”系列标准,其中“1N”表示二极管,“1184”为序列号。由于其设计年代较早,部分原始制造商的技术资料可能已不再公开,但通过行业数据库和历史文档仍可获取基本参数和应用信息。

参数

类型:硅整流二极管
  最大重复反向电压(VRRM):500 V
  最大有效值电压(VRMS):350 V
  最大直流阻断电压(VDC):500 V
  平均整流电流(IO):1.0 A
  峰值浪涌电流(IFSM):30 A(单个半波)
  最大正向压降(VF):1.0 V(在1.0 A时)
  最大反向漏电流(IR):5 μA(在额定VRRM时,25°C)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:DO-4(金属密封封装)

特性

1N1184整流二极管的核心特性之一是其高反向耐压能力,最大重复反向电压可达500V,这使其适用于中高压整流应用。在电源变压器次级侧输出较高电压的场合,如老式电视机、收音机、工业控制电源等,1N1184能够可靠地承受反向电压而不发生击穿。该器件的平均整流电流为1.0A,意味着它可以持续通过1安培的正向电流而不会因过热损坏,适用于中小功率整流需求。其峰值浪涌电流高达30A,能够在短时间内承受较大的电流冲击,例如在电源开机瞬间的充电电流或电网波动引起的瞬态过流,从而提高了系统的可靠性。
  该二极管采用硅材料制造,具有较低的正向导通压降,在1.0A电流下典型值为1.0V,有助于减少功率损耗和发热。同时,其反向漏电流极小,在额定电压下仅为5μA,表明其在截止状态下的绝缘性能良好,减少了不必要的功耗和漏电风险。1N1184的工作结温范围宽达-65°C至+175°C,表现出优异的热稳定性,可在极端环境温度下正常工作,适用于工业、军事和航空航天等对温度要求严苛的应用场景。其金属封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度和抗腐蚀能力,适合在振动、潮湿或多尘环境中长期运行。
  此外,1N1184的设计符合早期军用和工业标准,具备较高的可靠性与一致性。虽然现代二极管普遍采用塑料封装以降低成本,但1N1184的金属封装在某些高可靠性领域仍被视为优势。其较慢的反向恢复时间限制了其在高频开关电源中的应用,因此主要适用于50/60Hz工频整流。总体而言,1N1184是一款稳健、耐用的整流器件,尽管已被新型号替代,但在维护经典电子设备时仍具有不可替代的价值。

应用

1N1184主要用于工频整流电路中,常见于老式线性电源系统,如真空管设备、早期晶体管收音机、黑白电视机、工业控制柜和实验室电源等。由于其500V的反向耐压和1A的整流能力,适合用于将市电经变压器降压后的全波或桥式整流电路中。在这些应用中,它通常与其他元件(如滤波电容、稳压器)配合使用,构成稳定的直流供电系统。此外,该器件也用于电池充电器、电焊机电源、继电器驱动电路和简单的DC-DC转换前级整流环节。由于其金属封装具有良好的散热和耐久性,1N1184也被用于一些恶劣环境下的工业设备中,如工厂自动化控制系统、老式电梯控制板和电力监控装置。在维修和复刻经典电子设备时,1N1184常被用作原厂替换件以保持设备的原始性能和认证合规性。虽然现代设计更倾向于使用更高效、体积更小的替代品,但在无法更改原有设计或需要保持历史一致性的场合,1N1184仍是一个可行的选择。另外,由于其高结温能力和稳定性,该器件有时也被用于高温环境测试或作为教学实验中的示范元件,帮助学生理解整流二极管的基本工作原理和参数特性。

替代型号

1N4007
  1N5408
  RL207

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1N1184参数

  • 数据列表1N1183(A), 1N3765, 1N2128A Series
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)35A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.7V @ 110A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10mA @ 100V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AB,DO-5,接线柱
  • 供应商设备封装DO-203AB
  • 包装散装
  • 其它名称*1N1184