类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 6.5mΩ（在 VGS = 10V）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK? 8x8

VB921ZXSP 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低导通电阻的特性使其在大电流应用中表现出色，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路。
　　此外，该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种中高功率电源管理系统。VB921ZXSP 还具有良好的热管理性能，得益于其封装设计和材料选择，能够在高温环境下稳定工作。
　　其栅极驱动电压范围为 ±20V，支持广泛的控制器兼容性。该器件还具备快速开关能力，适合用于高频开关电路，从而减少开关损耗并提高效率。
　　PowerPAK? 8x8 封装形式不仅提供了优良的热性能，还具有紧凑的尺寸，适用于空间受限的 PCB 设计。这种封装还支持表面贴装工艺，简化了制造流程并提高了可靠性。

VB921ZXSP 主要用于高性能电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及电机控制和驱动电路。此外，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备、消费类电子产品中的电源模块以及电动汽车中的功率电子系统。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，VB921ZXSP 特别适合用于同步整流拓扑中，作为主开关或次级侧整流器，以提高转换效率。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性和高效率的功率控制模块。
　　在工业控制和自动化系统中，VB921ZXSP 可用于构建高效率的电源模块、开关电源（SMPS）以及高精度的电机驱动系统。

Si9410BDY-T1-E3, IRF1010E, FDP1010N, IPP110N10N3G, STP70NF10