VB921ZXSP 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于需要高效率、高频开关性能的电源管理和功率转换应用中。VB921ZXSP 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及良好的热稳定性。该器件封装在小型化的 PowerPAK? 8x8 封装中,适用于空间受限但要求高功率密度的设计场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):70A
导通电阻(RDS(on)):最大 6.5mΩ(在 VGS = 10V)
功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerPAK? 8x8
VB921ZXSP 的核心特性之一是其非常低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。这种低导通电阻的特性使其在大电流应用中表现出色,如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路。
此外,该器件的高耐压能力(100V)使其适用于多种中高功率电源管理系统。VB921ZXSP 还具有良好的热管理性能,得益于其封装设计和材料选择,能够在高温环境下稳定工作。
其栅极驱动电压范围为 ±20V,支持广泛的控制器兼容性。该器件还具备快速开关能力,适合用于高频开关电路,从而减少开关损耗并提高效率。
PowerPAK? 8x8 封装形式不仅提供了优良的热性能,还具有紧凑的尺寸,适用于空间受限的 PCB 设计。这种封装还支持表面贴装工艺,简化了制造流程并提高了可靠性。
VB921ZXSP 主要用于高性能电源管理系统,如服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)以及电机控制和驱动电路。此外,该器件也适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备、消费类电子产品中的电源模块以及电动汽车中的功率电子系统。
由于其高电流承载能力和低导通电阻,VB921ZXSP 特别适合用于同步整流拓扑中,作为主开关或次级侧整流器,以提高转换效率。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及其他需要高可靠性和高效率的功率控制模块。
在工业控制和自动化系统中,VB921ZXSP 可用于构建高效率的电源模块、开关电源(SMPS)以及高精度的电机驱动系统。
Si9410BDY-T1-E3, IRF1010E, FDP1010N, IPP110N10N3G, STP70NF10