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IS43TR82560B-125KBLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 13:47:10 查看 阅读:8

IS43TR82560B-125KBLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件设计用于高速数据存储和缓存应用,提供低功耗、高性能的存储解决方案,适用于网络设备、工业控制、通信系统等领域。

参数

容量:256K x 8位
  组织方式:256KB SRAM
  电源电压:3.3V
  访问时间:12ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  数据保持电压:2V
  封装尺寸:8mm x 14mm
  最大工作频率:约83MHz(基于访问时间)

特性

IS43TR82560B-125KBLI-TR 是一款高速异步SRAM芯片,具有以下主要特性:
  首先,其高速访问时间为12ns,支持高达83MHz的读写频率,适合需要快速响应的应用,如网络交换、缓存存储等。
  其次,该芯片支持低功耗模式,能够在待机状态下显著降低功耗,从而适用于对功耗敏感的工业和嵌入式系统。
  此外,该SRAM芯片的电源电压为3.3V,同时支持2V的数据保持电压,确保在断电情况下数据仍能保留一段时间,提高系统的可靠性和稳定性。
  封装方面,采用54引脚TSOP封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
  最后,该芯片的异步控制信号包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持灵活的读写操作模式,兼容多种嵌入式处理器和控制器的SRAM接口标准,简化系统集成。

应用

IS43TR82560B-125KBLI-TR 适用于多种需要高速、低功耗和工业级温度范围的存储应用。例如,在网络设备中,可作为数据包缓存使用,提高数据处理效率;在工业控制系统中,可用于临时存储实时数据和程序代码,提升系统响应速度;在通信设备中,它能够作为高速缓存或数据缓冲区,增强系统稳定性。此外,该芯片还可用于测试仪器、医疗设备、自动化控制设备和消费类电子产品中,作为高性能的静态存储解决方案。

替代型号

CY62148EVLL-12ZE3C, IS62WVS2568EBLL-12BLI, IS42S16800B-125BLI

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IS43TR82560B-125KBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)