时间：2025/9/1 13:47:10
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IS43TR82560B-125KBLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于高速数据存储和缓存应用，提供低功耗、高性能的存储解决方案，适用于网络设备、工业控制、通信系统等领域。
容量：256K x 8位
组织方式：256KB SRAM
电源电压：3.3V
访问时间：12ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
封装引脚数：54
数据保持电压：2V
封装尺寸：8mm x 14mm
最大工作频率：约83MHz（基于访问时间）
IS43TR82560B-125KBLI-TR 是一款高速异步SRAM芯片，具有以下主要特性：
首先，其高速访问时间为12ns，支持高达83MHz的读写频率，适合需要快速响应的应用，如网络交换、缓存存储等。
其次，该芯片支持低功耗模式，能够在待机状态下显著降低功耗，从而适用于对功耗敏感的工业和嵌入式系统。
此外，该SRAM芯片的电源电压为3.3V，同时支持2V的数据保持电压，确保在断电情况下数据仍能保留一段时间，提高系统的可靠性和稳定性。
封装方面，采用54引脚TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
最后，该芯片的异步控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持灵活的读写操作模式，兼容多种嵌入式处理器和控制器的SRAM接口标准，简化系统集成。
IS43TR82560B-125KBLI-TR 适用于多种需要高速、低功耗和工业级温度范围的存储应用。例如，在网络设备中，可作为数据包缓存使用，提高数据处理效率；在工业控制系统中，可用于临时存储实时数据和程序代码，提升系统响应速度；在通信设备中，它能够作为高速缓存或数据缓冲区，增强系统稳定性。此外，该芯片还可用于测试仪器、医疗设备、自动化控制设备和消费类电子产品中，作为高性能的静态存储解决方案。
CY62148EVLL-12ZE3C, IS62WVS2568EBLL-12BLI, IS42S16800B-125BLI
