GA1210Y223MBXAT31G 是一款高性能的工业级存储芯片,主要用于嵌入式系统和数据记录设备。该芯片采用先进的制造工艺,具备高可靠性、低功耗和快速存取的特点,适用于需要长期稳定运行的环境。
该型号属于串行闪存系列,支持SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,能够以较低的成本实现大容量的数据存储功能。
类型:串行闪存
容量:128Mb
接口:SPI
工作V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
数据保持时间:20年
擦写寿命:100,000 次
GA1210Y223MBXAT31G 具有以下主要特性:
1. 支持高速 SPI 模式,最高速率可达 108MHz,确保高效的数据传输。
2. 内置 ECC(Error Correction Code)引擎,可自动检测和纠正数据错误,提升数据完整性。
3. 提供灵活的分区管理功能,允许用户将存储空间划分为多个独立区域,便于不同用途的数据管理。
4. 集成省电模式,在待机状态下可以显著降低功耗,延长设备续航时间。
5. 工业级温度范围设计,适应恶劣的工作环境,保证系统的长期稳定性。
6. 支持多种保护机制,如写保护和块锁定功能,防止意外的数据覆盖或丢失。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统中的固件存储。
2. 工业自动化设备中的参数保存。
3. 医疗设备中的数据记录。
4. 物联网 (IoT) 设备中的日志存储。
5. 消费类电子产品中的配置文件存储。
由于其出色的性能和可靠性,GA1210Y223MBXAT31G 成为众多需要高精度和长寿命存储解决方案的理想选择。
GA1210Y223MBXAT32G
GA1210Y223MBXAT30G
MX25L12835F
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