V708ME02-LF 时间：2025/12/28 13:18:55 阅读：7

V708ME02-LF是一款由Vishay Siliconix生产的双N沟道增强型MOSFET，采用TSSOP封装，适用于高频率开关应用。这款MOSFET在电源管理、DC-DC转换器和负载开关等电路中表现出色。其设计优化了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗并提高了整体效率。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（单个MOSFET）
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：11nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TSSOP

特性

V708ME02-LF的主要特性包括低导通电阻、低栅极电荷和高速开关性能。低Rds(on)有助于减少导通损耗，提高系统效率；而低Qg则降低了驱动MOSFET所需的能量，从而进一步优化了开关效率。该器件采用TSSOP封装，具有良好的热性能和空间效率，适用于紧凑型设计。
　　此外，V708ME02-LF具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其双MOSFET结构允许在半桥或同步整流电路中使用，减少了外部元件数量，提高了设计的灵活性和集成度。这款MOSFET还具备较高的抗静电能力，确保在各种应用环境下的可靠运行。