时间:2025/12/25 12:44:05
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TFZGTR5.6B是一款由台湾半导体公司生产的小型表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的过电压保护。该器件采用先进的半导体工艺制造,能够在极短的时间内响应瞬态高压脉冲,并将电压钳位在安全范围内,从而有效保护后级敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等瞬态干扰的损害。TFZGTR5.6B属于单向TVS二极管,其标称击穿电压为5.6V,适用于直流或单极性信号线路的防护场景。由于其封装紧凑、响应速度快、箝位性能优异,广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备接口、工业控制模块以及汽车电子系统中。
该器件通常采用SOD-323或类似的小型化封装形式,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和长期可靠性。其工作温度范围较宽,能够适应严苛的环境条件。TFZGTR5.6B的设计目标是提供高效且低成本的过压保护解决方案,尤其适合用于电源轨、数据线和I/O端口的ESD防护。作为一款通用型TVS器件,它符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,在现代电子产品中具有较高的兼容性和可制造性。
类型:单向TVS二极管
工作电压:5.6V
最大反向关断电压:5.0V
击穿电压:最小6.2V,典型6.6V,最大7.3V
峰值脉冲电流(8/20μs):5A
钳位电压:9.2V @ 5A
功率耗散:300W(短时脉冲)
封装形式:SOD-323
工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
极性:单向
响应时间:小于1ns
TFZGTR5.6B的核心特性之一是其快速响应能力,能够在纳秒级别内对瞬态过电压事件做出反应,确保被保护电路不会因短暂但高能的电压尖峰而损坏。这种极快的响应速度源于其PN结结构设计和低寄生电感的封装技术,使其在面对ESD事件(如IEC61000-4-2标准规定的±8kV接触放电)时表现出卓越的保护性能。此外,该器件具有较低的漏电流,在正常工作条件下通常小于1μA,不会对系统功耗造成显著影响,特别适合电池供电的低功耗设备。
另一个关键特性是其稳定的电压钳位行为。当遭遇超过击穿电压的瞬态冲击时,TFZGTR5.6B会迅速进入雪崩导通状态,将线路电压限制在9.2V以下(在5A测试条件下),从而避免后级IC承受过高电压。这种非破坏性导通机制允许器件在多次浪涌事件后仍保持功能完整,具备良好的重复使用性和耐用性。其300W的峰值脉冲功率处理能力意味着它可以吸收较大的瞬态能量,适用于多种常见的电气环境。
该TVS二极管还具备优良的温度稳定性,其击穿电压随温度变化较小,确保在不同环境温度下都能提供一致的保护水平。SOD-323封装不仅节省空间,而且支持自动化贴片生产,提高了制造效率。整体来看,TFZGTR5.6B以其高可靠性、小尺寸和高性能成为现代电子系统中理想的过压保护元件之一。
TFZGTR5.6B常用于各类需要瞬态过压保护的电子电路中,特别是在易受外部干扰影响的输入输出接口部分。典型应用场景包括USB端口的电源与数据线保护,防止因插拔过程中的静电积累或错误连接导致主控芯片损坏。在移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该器件可用于保护LCD偏压电路、触摸屏控制器及传感器接口等敏感模块。
在工业控制系统中,TFZGTR5.6B可用于PLC输入通道、RS-232/RS-485通信线路的ESD防护,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。此外,在汽车电子领域,尽管其未专门认证为AEC-Q101器件,但仍可用于非关键性的车载辅助电路,如车内信息娱乐系统的音频/视频接口、充电管理单元的低压电源路径等,以增强系统的鲁棒性。
其他应用还包括电源适配器输出端、电池管理系统(BMS)的信号采集线路、无线模块天线馈电网络以及智能家居设备的联网接口。由于其单向特性,特别适用于仅存在正向电压波动的直流供电系统中,例如5V或3.3V逻辑电源轨的过压钳位。通过合理布局与接地设计,配合其他滤波元件协同工作,TFZGTR5.6B可构建完整的前端保护方案,显著提高产品在复杂电磁环境下的运行稳定性与寿命。
SMBJ5.0A
P6SMB5.0A
TPSMAJ5.0A
ESD5V6U1B