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W987D6HBGX7E TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:19:52 查看 阅读:15

W987D6HBGX7E TR是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高性能电子设备设计。该型号属于DDR3 SDRAM类别,具有较大的存储容量和高速数据传输能力,适用于需要高带宽和低延迟的场景,如计算机、嵌入式系统、网络设备和工业控制设备等。这款芯片采用BGA(球栅阵列)封装,确保了稳定性和可靠性。

参数

容量:1GB(128MB x 8)
  数据速率:800MHz
  电压:1.5V
  封装类型:BGA
  引脚数:54pin
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  组织结构:x8
  时钟频率:800MHz
  CAS延迟(CL):6
  数据预取:8n
  

特性

W987D6HBGX7E TR具备多项高性能和可靠性特性。首先,其容量为1GB,适用于需要大容量内存的应用场景。该芯片支持800MHz的高速数据传输率,能够提供高达6.4GB/s的带宽,满足高吞吐量需求。DDR3接口设计使其在降低功耗的同时保持较高的性能表现。芯片采用1.5V供电电压,降低了整体功耗,适用于对能效要求较高的系统。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不丢失数据的情况下进入低功耗状态,提高系统的节能效率。其BGA封装不仅减小了PCB占用空间,还提高了信号完整性和热稳定性。工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保其在各种严苛环境下仍能稳定运行。W987D6HBGX7E TR还支持多种突发长度模式,允许灵活的数据传输配置,从而优化系统性能。

应用

W987D6HBGX7E TR广泛应用于多种高性能电子设备中。例如,在嵌入式系统中,它可作为主存储器用于运行操作系统和应用程序;在网络设备(如路由器和交换机)中,该芯片用于高速缓存和数据缓冲,提高数据处理效率;在工业控制设备中,该芯片可提供稳定的内存支持,确保系统在复杂环境下稳定运行;此外,该芯片还可用于消费类电子产品(如智能电视和机顶盒)中,以提升系统响应速度和数据处理能力。

替代型号

AS4C16M16A2B4-6A TR, MT48LC16M16A2B4-6A TR

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W987D6HBGX7E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(8x9)