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V14H385P 发布时间 时间:2025/8/30 15:09:03 查看 阅读:9

V14H385P是一款由半导体厂商生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于各种需要高电流和高电压切换能力的电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):140V
  漏极电流(ID):38A
  导通电阻(RDS(on)):约0.035Ω(典型值)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220、TO-247等

特性

V14H385P具有较低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压电源管理场合,如DC-DC转换器、电机控制器和开关电源等。
  该器件采用了先进的平面技术,提供良好的热性能和稳定性,确保在高温环境下依然能保持稳定运行。此外,V14H385P的栅极设计优化了开关特性,减少开关损耗并提高响应速度,使其在高频应用中表现出色。
  由于其优异的雪崩击穿能力,该MOSFET能够在极端工作条件下提供额外的可靠性,适用于需要高鲁棒性的工业和汽车电子系统。其封装形式也便于散热设计,有助于提高整体系统的热管理效率。

应用

V14H385P主要应用于电源管理系统、电机驱动、开关电源(SMPS)、逆变器、电池管理系统(BMS)、电动汽车充电设备以及工业自动化控制系统等。

替代型号

IRF1405, STP38NF10, FDP38N15

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V14H385P参数

  • 现有数量2,558现货
  • 价格1 : ¥8.03000散装
  • 系列HMOV?
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 最大 AC 电压385 V
  • 最大 DC 电压505 V
  • 压敏电压(最小)558 V
  • 压敏电压(典型)620 V
  • 压敏电压(最大)682 V
  • 电流 - 浪涌6.5 kA
  • 能源175J
  • 电路数1
  • 不同频率时电容360 pF @ 1 MHz
  • 工作温度-55°C ~ 125°C(TA)
  • 特性-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳圆片式 14mm