时间：2025/8/30 15:09:03
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V14H385P是一款由半导体厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种需要高电流和高电压切换能力的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：140V
漏极电流（ID）：38A
导通电阻（RDS(on)）：约0.035Ω（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、TO-247等
V14H385P具有较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压电源管理场合，如DC-DC转换器、电机控制器和开关电源等。
该器件采用了先进的平面技术，提供良好的热性能和稳定性，确保在高温环境下依然能保持稳定运行。此外，V14H385P的栅极设计优化了开关特性，减少开关损耗并提高响应速度，使其在高频应用中表现出色。
由于其优异的雪崩击穿能力，该MOSFET能够在极端工作条件下提供额外的可靠性，适用于需要高鲁棒性的工业和汽车电子系统。其封装形式也便于散热设计，有助于提高整体系统的热管理效率。
V14H385P主要应用于电源管理系统、电机驱动、开关电源（SMPS）、逆变器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电设备以及工业自动化控制系统等。
IRF1405, STP38NF10, FDP38N15
