GS1508-CKAE3 时间：2025/8/5 7:47:16 阅读：18

GS1508-CKAE3是一款由Vishay Siliconix生产的双N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高功率效率，适用于多种功率管理应用。GS1508-CKAE3采用8引脚DFN封装，提供良好的散热性能和空间利用率，适合用于便携式电子设备和电源管理系统。

参数

类型：MOSFET
　　通道类型：双N沟道增强型
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(Id)：5.6A @ 25°C
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ 4.5V VGS
　　栅极电压(VGS)：10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-DFN
　　安装类型：表面贴装

特性

GS1508-CKAE3具有多项优越特性，适用于高性能功率管理应用。其采用的TrenchFET技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件的低栅极电荷(Qg)和快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高电源转换效率。此外，GS1508-CKAE3具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的可靠性。
　　该MOSFET的封装设计优化了散热性能，使得在高电流负载下仍能保持较低的温度上升。同时，8引脚DFN封装提供了较小的封装尺寸，节省了PCB空间，适用于紧凑型设计。GS1508-CKAE3还具备较强的抗静电能力，增强了器件在复杂环境中的耐用性。这些特性使该器件在负载开关、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统中表现出色。

应用

GS1508-CKAE3广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中。其典型应用包括便携式设备的电源管理、负载开关、同步整流、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器设计。此外，该器件也适用于工业控制系统、电源适配器、LED照明驱动电路以及汽车电子中的功率控制模块。在需要高效能、低功耗和紧凑型设计的场合，GS1508-CKAE3是一个理想的选择。