VND5E050AK 时间：2025/6/3 23:05:40 阅读：8

VND5E050AK是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-263封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，VND5E050AK广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率控制的场景中。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：7.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：ton=14ns, toff=18ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263

特性

VND5E050AK具备以下关键特性：
　　1. 低导通电阻设计有助于降低功率损耗，从而提高整体效率。
　　2. 较高的开关速度使得它在高频应用中表现优异，能够适应现代电子设备对快速响应的需求。
　　3. 高电流承载能力确保其在大功率应用场景下依然稳定可靠。
　　4. 封装形式为TO-263，便于安装和散热处理。
　　5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持正常运作。
　　6. 具备良好的热稳定性及抗干扰能力，适合工业级和消费级产品使用。

应用

VND5E050AK主要应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
　　2. 直流无刷电机驱动器中的功率控制模块。
　　3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的电源管理单元。
　　5. 汽车电子系统中的各种功率控制电路。
　　6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。