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CDR34BP822AJZPAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:43:01 查看 阅读:8

CDR34BP822AJZPAT是一款高性能的双极性晶体管(BJT),专为高频和高增益应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有卓越的电气性能和稳定性,广泛应用于射频放大器、振荡器以及各类通信设备中。其封装形式为SOT-23,适合表面贴装技术(SMT),能够满足小型化和高效能的设计需求。
  该晶体管在高频环境下表现出色,具备低噪声和高增益的特点,同时其工作温度范围较宽,能够在恶劣环境中稳定运行。

参数

最大集电极电流:0.1A
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大集电极-基极电压:30V
  最大发射极-基极电压:5V
  直流电流增益(hFE):250-600
  特征频率(fT):1GHz
  功耗:150mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CDR34BP822AJZPAT具有以下显著特性:
  1. 高增益:直流电流增益(hFE)高达600,适用于需要高增益的场景。
  2. 高频性能:特征频率(fT)达到1GHz,使其非常适合用于射频电路。
  3. 低噪声:优化设计以减少噪声干扰,保证信号的清晰度。
  4. 宽工作温度范围:从-55℃到+150℃的工作温度范围,确保其在各种环境下的可靠性。
  5. 小型封装:SOT-23封装,便于表面贴装,适合高密度电路板设计。

应用

CDR34BP822AJZPAT的主要应用领域包括:
  1. 射频放大器:
   - 在无线通信系统中用作功率放大器或前置放大器。
  2. 振荡器:
   - 构建高频振荡电路,提供稳定的信号源。
  3. 调制解调器:
   - 应用于数据传输设备中的信号处理部分。
  4. 开关电路:
   - 作为高速开关元件使用。
  5. 工业控制:
   - 在工业自动化设备中实现精确的信号放大与控制功能。

替代型号

MRF34BP822AZPAT, CDR34AP822AJZPAT

CDR34BP822AJZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"(1.50mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-