类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.85Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

FQD9N50C MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，适用于中高功率的开关应用。其主要特性包括：
　　1. **高耐压能力**：该器件的漏源击穿电压（BVDSS）高达500V，使其适用于高电压环境，如开关电源（SMPS）和工业控制系统。
　　2. **低导通电阻**：典型RDS(on)为0.85Ω，在导通状态下可降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. **良好的热稳定性**：采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功耗下稳定工作。
　　4. **快速开关特性**：由于其较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），FQD9N50C在高频开关应用中表现优异，有助于提高开关电源的效率和减小电路体积。
　　5. **过载和短路保护能力**：该器件具备一定的抗过载能力和短路承受能力，适合在工业和恶劣环境下使用。
　　6. **高可靠性**：FQD9N50C通过了严格的可靠性测试，适合用于长期运行的工业设备和电源系统。

FQD9N50C 主要用于需要中高功率开关能力的电路中，典型应用包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC-DC适配器、电源模块和电池充电器等。
　　2. **DC-DC转换器**：用于调节和转换不同电压等级的直流电源。
　　3. **电机控制和驱动电路**：在电机控制应用中作为开关元件使用。
　　4. **负载开关和继电器替代**：在自动化控制系统中作为高电压、高电流的开关使用。
　　5. **LED照明电源**：用于高亮度LED驱动电源系统。
　　6. **逆变器和UPS系统**：在不间断电源和逆变器中作为关键的功率开关元件。

FQP9N50C, IRF9N50C, STF9N50DM2, FQA9N50C