时间：2025/7/1 7:12:33
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DMG3415U-7-F 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，采用微型封装设计，适用于高效能功率转换应用。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度，适合于消费电子、通信设备和计算机外设等领域的电源管理电路。
DMG3415U-7-F 使用超小型 DFN1006-2 (SOT883) 封装，有助于节省印刷电路板 (PCB) 空间，并具备出色的热性能。这使得它非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：±8V
连续漏极电流 (Id)：1.6A
导通电阻 (Rds(on))：45mΩ
总栅极电荷 (Qg)：3nC
栅极到漏极电荷 (Qgd)：0.35nC
工作结温范围 (Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1006-2 (SOT883)
DMG3415U-7-F 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 降低了传导损耗，从而提高了系统效率。
2. 微型 DFN1006-2 封装节省了 PCB 面积，同时提供了良好的散热能力。
3. 快速开关性能确保在高频操作下保持高效。
4. 高静电放电 (ESD) 防护能力增强了器件的可靠性。
5. 工作温度范围宽，能够适应各种环境条件。
DMG3415U-7-F 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 直流-直流 (DC-DC) 转换器中的功率 MOSFET。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
5. 计算机和通信设备中的电源管理模块。
6. 便携式设备中的高效功率控制解决方案。
DMG3419U-7-F, DMG3417U-7-F
