ZXTN4000ZTA是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,适用于中高功率的电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为9.5mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSOT-23
ZXTN4000ZTA具有多项显著的性能特点。首先,其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。
其次,该器件支持高达10A的漏极电流,适用于较高功率的应用需求。
此外,ZXTN4000ZTA具有快速开关特性,能够实现高效的开关操作,从而减少开关损耗。
该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
最后,其采用TSOT-23封装,具有较小的封装体积,适用于高密度PCB设计。
ZXTN4000ZTA广泛应用于多种电子设备和系统中。在电源管理电路中,该器件可用于高效DC-DC转换器的设计,提升电源转换效率。
在负载开关电路中,它能够实现对负载的精确控制,适用于便携式设备的电源管理。
此外,该MOSFET还常用于电机驱动电路、LED照明控制电路以及电池管理系统中。
由于其优异的导通和开关性能,ZXTN4000ZTA也适用于需要高效能功率开关的工业自动化和汽车电子系统。
Si2302DS-T1-GE3, FDS6680, AO4406A