您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXTN4000ZTA

ZXTN4000ZTA 发布时间 时间:2025/8/2 6:20:53 查看 阅读:16

ZXTN4000ZTA是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,适用于中高功率的电子系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为9.5mΩ(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TSOT-23

特性

ZXTN4000ZTA具有多项显著的性能特点。首先,其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。
  其次,该器件支持高达10A的漏极电流,适用于较高功率的应用需求。
  此外,ZXTN4000ZTA具有快速开关特性,能够实现高效的开关操作,从而减少开关损耗。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
  最后,其采用TSOT-23封装,具有较小的封装体积,适用于高密度PCB设计。

应用

ZXTN4000ZTA广泛应用于多种电子设备和系统中。在电源管理电路中,该器件可用于高效DC-DC转换器的设计,提升电源转换效率。
  在负载开关电路中,它能够实现对负载的精确控制,适用于便携式设备的电源管理。
  此外,该MOSFET还常用于电机驱动电路、LED照明控制电路以及电池管理系统中。
  由于其优异的导通和开关性能,ZXTN4000ZTA也适用于需要高效能功率开关的工业自动化和汽车电子系统。

替代型号

Si2302DS-T1-GE3, FDS6680, AO4406A

ZXTN4000ZTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXTN4000ZTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)-
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,150mV
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTN4000ZTADITR